KRI 考夫曼離子源 Gridded KDC

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
離子源     霍爾離子源                                           射頻離子源                       考夫曼離子源                              自動控制器

KRI 考夫曼離子源 Gridded KDC 系列, 柵極燈絲型離子源, 通過加熱燈絲產生電子, 提供低電流高能量離子束. 離子束可選聚焦,平行, 散設三種方式, KDC 系列離子源適用于離子濺鍍和蒸發鍍膜 PC, 輔助鍍膜 ( 光學鍍膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 離子濺射沉積和多層結構 IBSD, 離子蝕刻 IBE 等.

KRI 考夫曼離子源 KDC 系列

離子源通過加熱燈絲產生離子束, 低濃度高能量寬束型離子源

型號

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

離子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼離子源 KDC 75

考夫曼離子源 KDC 75
尺寸: 直徑= 5.5“ 高= 7.9”
離子束動能: 100-1200 eV
電流: 250 mA

考夫曼離子源

KRI 考夫曼離子源 KDC 10

考夫曼型離子源 KDC 系列最小型號的離子源
尺寸:直徑= 1.52“ 高= 4.5”
離子束動能: 100-1200 ev
電流: 10 mA

考夫曼離子源  KDC 10

KRI 考夫曼離子源 KDC 40

考夫曼離子源 KDC 40
尺寸: 直徑= 3.5“ 高= 6.75”
離子束動能: 100-1200 eV
電流: 120 mA

考夫曼離子源 KDC40

KRI 考夫曼離子源 KDC 100

考夫曼離子源 KDC 100 中型規格柵極離子源,廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產設備中

KRI 考夫曼離子源 KDC 160

考夫曼離子源 KDC 160
尺寸: 直徑= 9.1“ 高= 9.92”
放電電壓: 100-1200 eV
電流: 800 mA

考夫曼離子源 KDC160

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