KRI 考夫曼離子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
離子源     霍爾離子源                                           射頻離子源                       考夫曼離子源                              自動控制器

考夫曼離子源創始人 Harold Kaufman

1926 年在美國出生
1951 年加入美國 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務獎
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司, 研發生產商用離子源

KRI 射頻離子源 RFICP 系列

射頻離子源, 提供高能量, 低濃度的離子束, 單次工藝時間更長, 適合多層膜的制備和離子濺鍍鍍膜

型號

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼離子源 KDC 系列

離子源通過加熱燈絲產生離子束, 低濃度高能量寬束型離子源

型號

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

離子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

KRI 霍爾離子源 eH 系列

霍爾離子源無柵極, 高濃度, 低能量寬束型離子源

型號

eH 200

eH 400

eH 1000

eH 2000

eH 3000

離子束流

2A

5A

10A

10A

20A

離子動能

30-300 V

50-300 V

100-300 V

50-250 V

50-250 V

柵極直徑

2.5”

3.7”

5.7”

5.7”

9.7”

離子束

> 45°散射

KRI 霍爾離子源 eH 400

霍爾離子源 eH 400
尺寸:直徑= 3.7“ 高= 3”
離子束動能: 50-300eV
電流: 5a

霍爾離子源 eh400

KRI 考夫曼離子源 KDC 75

考夫曼離子源 KDC 75
尺寸: 直徑= 5.5“ 高= 7.9”
離子束動能: 100-1200 eV
電流: 250 mA

考夫曼離子源

KRI 考夫曼離子源 KDC 10

考夫曼型離子源 KDC 系列最小型號的離子源
尺寸:直徑= 1.52“ 高= 4.5”
離子束動能: 100-1200 ev
電流: 10 mA

考夫曼離子源  KDC 10

KRI 考夫曼離子源 KDC 40

考夫曼離子源 KDC 40
尺寸: 直徑= 3.5“ 高= 6.75”
離子束動能: 100-1200 eV
電流: 120 mA

考夫曼離子源 KDC40

KRI 霍爾離子源 eH 1000

霍爾離子源 eH 1000
尺寸:直徑= 5.7“ 高= 5.5”
離子束動能: 50-300V
電流: 10A

霍爾離子源

KRI 霍爾離子源 eH 2000

霍爾離子源 eH 2000
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
離子束動能: 50-300V
電流: 10A 或 15A

霍爾離子源eh2000

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