普發氦質譜檢漏儀

KRI 射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻
上海伯東美國 KRI 射頻離子源安裝在日本 NS 離子蝕刻機中, 對應用于半導體后端的 6寸晶圓進行刻蝕
Hakuto (NS) 離子蝕刻機技術規格:

型號	NS 7.5IBE	NS 10IBE	NS 20IBE-C	NS 20IBE-J
適用范圍	適用于科研院所,實驗室研究	適合小規模量產使用和實驗室研究	適合中等規模量產使用的離子刻蝕機	適合大規模量產使用的離子刻蝕機
基片尺寸	Φ4 X 1片或 Φ6 X 1片	φ8 X 1片	φ3 inch X 8片 φ4 inch X 6片 φ8 inch X 1片	Φ4 inch X 12片 φ5 inch X 10片 φ6 inch X 8片
離子源	8cm 或 10cm 考夫曼離子源	10cm NS離子源	20cm 考夫曼離子源	20cm 考夫曼離子源

上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長
RFICP  系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應器, 中和器, 電源控制等
RFICP  系列離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等