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伯東公司日本原裝設計制造離子蝕刻機 IBE. 提供微米級刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, 伯東公司已累計交付約 500套離子刻蝕機.
伯東公司超過 50年的刻蝕 IBE 市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!
離子蝕刻機,離子刻蝕機,IBE

            離子刻蝕機 4IBE                離子刻蝕機 20IBE          全自動蝕刻機 MEL 3100

離子蝕刻機 IBE 主要型號
伯東提供用于研究分析的小尺寸離子刻蝕機, 用于生產制造的大尺寸離子蝕刻機以及全自動蝕刻機.
配置美國 KRI 考夫曼離子源和德國 Pfeiffer 分子泵.

型號

4 IBE

7.5 IBE

16 IBE

20 IBE-C

MEL 3100

樣品數量尺寸

1片, 4”φ

1片, 4”φ

1片, 6”φ

4”φ, 6片
6”φ, 4片

3”φ-6”φ,1片

離子束入射角度

0~± 90

0~± 90

0~± 90

0~± 90

-

考夫曼離子源

KDC 40

KDC 75

KDC 160

考夫曼型

-

極限真空度 Pa

≦1x10-4

≦1x10-4

≦1x10-4

≦1x10-4

≦8x10-5

Pfeiffer 分子泵抽速 l/s

350

350

1250

1250

-

均勻性

≤±5%

≤±5%

≤±5%

≤±5%

≤±5%


離子蝕刻機特性:
1. 采用美國 KRI 考夫曼型離子源, 保障蝕刻速率和均勻性
2. 干式制程, 物理蝕刻的特性
3. 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
4. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.
5. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面.

通 Ar 時, 對各種材料的刻蝕速率
離子蝕刻機,刻蝕速率

離子蝕刻機 IBE 應用
薄膜磁頭 Thin film Magnetic Head,   自旋電子學 Spintronics,  MR Sencer
微電子機械系統 MEMS Micro-electromechanical Systems
射頻設備 RF Devices, 光學組件 Optical Component, 超導電性 Super Conductivity
離子蝕刻機應用

Hakuto
日本原裝設計制造離子刻蝕機 IBE, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子蝕刻機. 蝕刻機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!

若您需要進一步的了解離子蝕刻機詳細信息, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                        ec@hakuto.com.tw
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